🔬

স্পিনট্রনিক মেমরি

ইলেকট্রন স্পিন-ভিত্তিক মেমরি প্রযুক্তি সিমুলেটর

🔬 এখনই চেষ্টা করুন

What is Spintronics?

Why revolutionary? Non-volatile (keeps data without power like flash), but 10M+ write cycles (vs 100K for flash), faster than DRAM, works at 400°C! STT-MRAM already shipping in Samsung phones since 2019. SOT-MRAM (2024) is 3× faster. This replaces both DRAM and Flash!

🎯 সিমুলেটর টিপস

📚 শব্দকোষ

Spintronics
পদার্থবিদ্যা এবং প্রকৌশলের একটি ক্ষেত্র যা তথ্য সঞ্চয় এবং প্রক্রিয়াকরণের জন্য চার্জ ছাড়াও ইলেকট্রনের অন্তর্নিহিত স্পিন (এবং এর সাথে সম্পর্কিত চৌম্বকীয় মুহূর্ত) শোষণ করে।
Spin-Transfer Torque (STT)
স্পিন-পোলারাইজড ইলেক্ট্রন থেকে চৌম্বকীয় স্তরে কৌণিক ভরবেগের স্থানান্তর, বাহ্যিক চৌম্বক ক্ষেত্র ছাড়াই কারেন্ট-চালিত চৌম্বকীয়করণ স্যুইচিং সক্ষম করে, স্লোনচেউস্কি (1996) এবং বার্জার (1996) দ্বারা ভবিষ্যদ্বাণী করা হয়েছিল।
Magnetic Tunnel Junction (MTJ)
MRAM এর মূল উপাদান: দুটি ফেরোম্যাগনেটিক স্তর একটি পাতলা অন্তরক বাধা (সাধারণত MgO) দ্বারা পৃথক করা হয়, যার প্রতিরোধ স্তরগুলির আপেক্ষিক চৌম্বকীয় অভিযোজনের উপর নির্ভর করে।
Free Layer
একটি MTJ-এ ফেরোম্যাগনেটিক স্তর যার চুম্বককরণ ডেটা সঞ্চয় করতে সুইচ করা যেতে পারে (সমান্তরাল = নিম্ন প্রতিরোধ = '1', অ্যান্টি-সমান্তরাল = উচ্চ প্রতিরোধ = '0')।
Pinned Layer (Reference Layer)
একটি MTJ-এ ফেরোম্যাগনেটিক স্তর নির্দিষ্ট চুম্বকীয়করণের দিক দিয়ে, সঞ্চিত বিট পড়ার জন্য রেফারেন্স হিসাবে কাজ করে।
Tunnel Magnetoresistance (TMR)
একটি MTJ এর চৌম্বকীয় স্তরগুলির আপেক্ষিক অভিযোজনের উপর ভিত্তি করে বৈদ্যুতিক প্রতিরোধের পরিবর্তন; উচ্চ TMR অনুপাত আরো নির্ভরযোগ্য ডেটা রিডিং সক্ষম করে।
STT-MRAM
স্পিন-ট্রান্সফার টর্ক ম্যাগনেটিক র্যান্ডম-অ্যাক্সেস মেমরি -- একটি অ-উদ্বায়ী মেমরি যা ডেটা লেখার জন্য স্পিন-পোলারাইজড স্রোত ব্যবহার করে এবং এটি পড়ার জন্য ম্যাগনেটোরেসিস্ট্যান্স ব্যবহার করে।
SOT-MRAM
স্পিন-অরবিট টর্ক এমআরএএম - একটি পরবর্তী প্রজন্মের প্রযুক্তি যা একটি ভারী ধাতু স্তরে স্পিন-অরবিট কাপলিং ব্যবহার করে আরও দ্রুত (সাব-ন্যানোসেকেন্ড) পৃথক পঠন/লেখা পাথের সাথে স্যুইচ করার জন্য।
Perpendicular Magnetic Anisotropy (PMA)
একটি সম্পত্তি যেখানে চৌম্বককরণ ফিল্ম পৃষ্ঠের লম্ব নির্দেশ করতে পছন্দ করে, আধুনিক এমআরএএম ডিভাইসগুলিতে আরও ভাল মাপযোগ্যতা এবং তাপ স্থিতিশীলতা সক্ষম করে।
Non-Volatility
ক্রমাগত পাওয়ার সাপ্লাই ছাড়াই সঞ্চিত ডেটা ধরে রাখার ক্ষমতা, SRAM এবং DRAM এর উপর MRAM এর একটি মূল সুবিধা।
Giant Magnetoresistance (GMR)
আলবার্ট ফার্ট এবং পিটার গ্রুনবার্গ (2007 নোবেল পুরস্কার) দ্বারা আবিষ্কৃত একটি কোয়ান্টাম প্রভাব যেখানে চৌম্বকীয় স্তরের সারিবদ্ধতার উপর ভিত্তি করে প্রতিরোধের নাটকীয় পরিবর্তন হয়, আধুনিক হার্ড ড্রাইভ রিড হেড সক্ষম করে।
Spin Hall Effect
একটি ঘটনা যেখানে একটি চার্জ কারেন্ট স্পিন-অরবিট কাপলিং এর কারণে একটি ট্রান্সভার্স স্পিন কারেন্ট তৈরি করে, দক্ষ চুম্বকীয়করণ স্যুইচিংয়ের জন্য SOT-MRAM এ ব্যবহৃত হয়।
VCMA
ভোল্টেজ-নিয়ন্ত্রিত চৌম্বক অ্যানিসোট্রপি - একটি উদীয়মান কৌশল যা চুম্বকীয়করণ নিয়ন্ত্রণ করতে স্রোতের পরিবর্তে বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র ব্যবহার করে, অতি-লো-পাওয়ার মেমরির প্রতিশ্রুতি দেয়।
Endurance
একটি মেমরি ডিভাইস টিকিয়ে রাখতে পারে লেখা চক্রের সংখ্যা; STT-MRAM 10^14 সাইকেল পর্যন্ত অর্জন করে, ফ্ল্যাশ মেমোরির 10^5 সাইকেল থেকে অনেক বেশি।
Spin-Polarized Current
একটি বৈদ্যুতিক প্রবাহ যেখানে বেশিরভাগ ইলেকট্রনের স্পিন একই দিকে সারিবদ্ধ থাকে, একটি ফেরোম্যাগনেটিক উপাদানের মধ্য দিয়ে তড়িৎ প্রবাহের মাধ্যমে উৎপন্ন হয়।

🏆 মূল ব্যক্তিত্ব

John C. Slonczewski (1989-1996)

IBM গবেষক যিনি প্রথম MTJ স্ট্রাকচার (1989) এবং GMR স্ট্রাকচারে (1996) স্পিন-ট্রান্সফার টর্কের ভবিষ্যদ্বাণী করেছিলেন, যা সমস্ত STT-MRAM প্রযুক্তির জন্য তাত্ত্বিক ভিত্তি প্রদান করে

Luc Berger (1996)

1996 সালে চৌম্বকীয় বহুস্তর দ্বারা স্পিন তরঙ্গের স্পিন-ট্রান্সফার টর্ক নির্গমনের স্বাধীনভাবে পূর্বাভাস দেওয়া হয়েছিল, যা বর্তমান-চালিত চুম্বকীয়করণ স্যুইচিংয়ের তাত্ত্বিক ভিত্তির সহ-প্রতিষ্ঠা করেছিল

Albert Fert (1988)

1988 সালে সহ-আবিষ্কৃত জায়ান্ট ম্যাগনেটোরেসিস্ট্যান্স (জিএমআর), 2007 সালে পদার্থবিজ্ঞানে নোবেল পুরস্কার প্রদান করে, যা স্পিন্ট্রনিক্সের সমগ্র ক্ষেত্রকে সক্ষম করে

Peter Grunberg (1988)

1988 সালে স্বাধীনভাবে জিএমআর আবিষ্কার করেন, এই সাফল্যের জন্য 2007 সালের নোবেল পুরষ্কার ফার্টের সাথে ভাগ করে নেন যা ডেটা সঞ্চয়স্থানে বৈপ্লবিক পরিবর্তন এনে দেয়।

Stuart Parkin (1990s-2000s)

IBM ফেলো যিনি পরবর্তী প্রজন্মের ডেটা স্টোরেজের জন্য স্পিন ভালভ রিড হেড এবং রেসট্র্যাক মেমরি ধারণা সহ ব্যবহারিক স্পিনট্রনিক ডিভাইসগুলির পথপ্রদর্শক

Shinji Yuasa (2004)

AIST জাপানে ক্রিস্টালাইন MgO-ভিত্তিক MTJs-এ বিশাল টানেল ম্যাগনেটোরেসিস্ট্যান্স প্রদর্শন করেছে, TMR অনুপাত 200% এর বেশি অর্জন করেছে যা বাণিজ্যিক MRAM সক্ষম করেছে

Daniel Worledge (2010s)

IBM গবেষক যিনি ঋজু STT-MRAM প্রযুক্তির উন্নয়নে নেতৃত্ব দিয়েছেন এবং উন্নত সুইচিং দক্ষতার জন্য ডাবল স্পিন-টর্ক MTJ ডিজাইন

🎓 শিক্ষার উৎস

💬 শিক্ষার্থীদের বার্তা

প্রতিটি ইলেকট্রনের দুটি মৌলিক বৈশিষ্ট্য রয়েছে: চার্জ এবং স্পিন। কয়েক দশক ধরে, ইলেকট্রনিক্স শুধুমাত্র তথ্য সংরক্ষণ এবং প্রক্রিয়া করার জন্য চার্জ ব্যবহার করে। স্পিনট্রনিক্স অন্য অর্ধেক ব্যবহার করে -- কোয়ান্টাম স্পিন -- সম্পূর্ণ নতুন সম্ভাবনার উন্মোচন করে। STT-MRAM ইতিমধ্যেই উন্নত চিপগুলিতে ফ্ল্যাশ মেমরি প্রতিস্থাপন করছে, এবং প্রযুক্তি আরও উন্নত হচ্ছে। জায়ান্ট ম্যাগনেটোরেসিস্ট্যান্সের জন্য 2007 সালের নোবেল পুরস্কার ছিল মাত্র শুরু। আমরা যখন মুরের আইনের সীমার কাছে যাই, তখন স্পিন্ট্রনিক্স সামনের পথ দেখায়: মেমরি যা দ্রুত, ঘন, অ-উদ্বায়ী এবং শক্তি-দক্ষ। স্পিন বিপ্লব ইতিমধ্যেই চলছে।

শুরু করুন

বিনামূল্যে, সাইনআপ নেই

শুরু করুন →